参数	值
产品	未分类
型号编码	DN2625DK6-Gn: 0
说明	未分类   DFN 5.1mm 5.1x5.1x0.85mm
起订量	5
最小包	5
现货	400 [库存更新时间：2025-04-15]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	1.1 A
漏源极电压Vds	250 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5 0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DFN
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	消耗
类别	功率 MOSFET
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	5.1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	5.1 x 5.1 x 0.85mm
高度	0.85mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	800 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	10 ns
正向二极管电压	1.8V